gainas

“III/V compound” semiconductor (e.g. GaAs or GaInAs) photocathodes and transferred electron photocathodes, having a maximum “radiant sensitivity” exceeding 15 mA/W;
des photocathodes semi-conducteurs “composés III-V” (par exemple, GaAs ou GaInAs) et photocathodes à électrons transférés ayant une “sensibilité d’énergie radiante” maximale supérieure à 15 mA/W ;
III/V compound semiconductor (e.g., GaAs or GaInAs) photocathodes and transferred electron photocathodes, having a maximum radiant sensitivity exceeding 15 mA/W;
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